Samsung i IBM su objavili da su premostili ključnu prepreku u proizvodnji poluvodiča, što će im omogućiti izradu procesora zasnovanih na tehnologiji manjoj od jednog nanometra. Najjači procesori danas rade na 5 nm, a sljedeće godine očekujemo prelazak na 4 ili čak 3 nm. Ipak, trenutno dostupna tehnologija ne dopušta procese manje od 1 nm, ali zahvaljujući najnovijem dizajnu iz Samsunga i IBM-a, uskoro će i to biti moguće.
Prema navodima ovih dviju kompanija, novi dizajn će biti zasnovan na vertikalnom slaganju tranzistora (VTFET), što omogućuje znatno brži protok električnih impulsa od aktualne horizontalne FinFET tehnologije.
Ovaj novi dizajn ima dvije prednosti. Prvi je zaobilazak „Mooreovog zakona“, koji je 1 nm proces definirao kao fizičku granicu, no ono puno važnije je osjetno veća iskoristivost energije. Prema navodima Samsunga i IBM-a, novi procesori će biti višestruko moćniji od aktualnih, uz istovremenu uštedu energije od čak 85%. U Samsungu tvrde da će ovo u konačnici rezultirati većom autonomijom mobitela, odnosno da će im se autonomija produljiti na cijeli tjedan, a procesori će biti toliko jaki da će se na njima moći rudariti kriptovalute.
Hoće li se ovo zaista ostvariti, ostaje za vidjeti. Također, Ni Samsung ni IBM još ne navode vremenski okvir komercijalizacije ove tehnlogije, no s obzirom na kompleksnost dizajna i neophodnu izradu novih strojeva za proizvodnju čipova, ne treba je očekivati prije 2024 ili 2025. godine.